型号:IRF7822PBF | 类别:FET - 单 | 制造商:International Rectifier |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC |
系列 | HEXFET® |
制造商 | International Rectifier |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 18A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 6.5 毫欧 @ 15A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 60nC @ 5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 5500pF @ 16V |
功率_最大 | 3.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SO |
包装 | 管件 |
供应商
HECC GROUP CO,LIMITED | Sante Zhang/Mollie086-755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890 |
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